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半導體器件分析精選(九篇)

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半導體器件分析

第1篇:半導體器件分析范文

[關鍵詞]功率半導體器件;高壓直流輸電;電力電子技術

中圖分類號:TM72 文獻標識碼:A 文章編號:1009-914X(2014)17-0241-01

1 引言

功率半導體器件是用于電力設備的電能變換和控制電路方面的大功率電子器件。廣泛應用于涉及電力系統的各個方面,涉及發電、輸電、配電和用電的各個領域。

高電壓、大容量的功率半導體器件的迅速發展,促使高壓直流輸電技術發生了重大變革,使得高壓直流輸電系統迅速發展。同時,隨著高壓直流輸電系統的電壓等級不斷提高,使得各部分裝置所承受的電壓不斷提高,對功率半導體器件的性能提出了更高的要求。本文從功率半導體器件在HVDC中的應用領域和對HVDC發展的影響兩方面進行了闡述,從辨證的角度分析二者的關系,對功率器件的發展方向進行了展望。

2 功率半導體器件的發展狀況

20世紀80年代中期,4.5kV的GTO得到廣泛應用,并成為在接下來的十年內大功率變流器的首選器件,一直到IGBT的阻斷電壓達到3.3kV之后,才開始改變GTO獨占市場的局面。至2005年,以晶閘管為代表的半控型器件已達到7×107W/9000V的水平,全控器件也發展到了十分高的水平。當前,功率半導體器件的水平基本穩定在109~1010WHz左右,已逼近了由于寄生二極管制約而能達到的材料極限。

高品質電能變換所內涵的高耐壓、高速、高電流密度、高集成度和低導通電阻等給人們提出不少科學與技術問題,并不斷推動著功率半導體的發展。為了使功率半導體器件適應便攜式、綠色電源、節能減排的發展需要,功率器件正不斷采用新技術,不斷改進材料性能或開發新的應用材料、繼續優化完善結構設計、制造工藝和封裝技術等,提高器件功率集成密度,減少功率損耗。

2.2 功率半導體器件未來發展方向

現代大功率半導體器件正朝以下幾個方向發展:[1]

(1)大電流、高耐壓:現代電力電子器件正向大電流高壓方向發展,以適應高壓領域對電力電子器件快速需求的趨勢,尤其在高壓直流輸電、高壓電力無功補償、高壓電機、變頻器等領域。

(2)高頻化:從高壓大電流的GTO到高頻多功能的IGBT、MOSFET,其頻率已從數千HZ到幾十KHZ、MHZ。這標志著電力電子技術已進入高頻化時代。

(3)集成化、智能化:幾乎所有全控型器件都由許多的單元胞管子并聯而成(IGBT、GTO)。

功率半導體器件的發展日新月異,HVDC 技術正在不斷的進步和成熟,輸電容量和電壓等級逐漸提高,使其在輸電系統中越來越具有競爭力。隨著西電東送和全國聯網的不斷發展,電能質量和電網運行的靈活性和可靠性的要求越來越高,HVDC技術必將得到越來越廣泛的應用。為了滿足我國軌道交通、智能電網、新能源等國民經濟發展重要領域對高壓大電流晶閘管、高壓大功率IGBT、IGCT等功率半導體器件的強大需求,提升國家電力電子產業的技術水平,2007年南車時代電氣投資3.5億,啟動了大尺寸功率半導體器件研發及產業化基地建設。該線采用了世界頂尖級的工藝和測試設備,主要生產6英寸、5英寸高壓大電流晶閘管和整流管,滿足高壓/特高壓直流輸電項目的需要。

2 功率半導體器件在HVDC中的應用

HVDC在電力系統的應用中,存在著一些固有的缺陷,如不能向無源系統供電、易發生換相失敗、需要配置專門的濾波裝置、設備投資高、占地面積大等[4],這些問題一直限制著HVDC的發展。20世紀90年代以后,隨著電力電子技術的發展,特別是具有可關斷能力的新型半導體器件的出現,促進HVDC技術產生了重大變革。

功率半導體器件的發展促使高壓直流輸電技術不斷進步,根據功率半導體器件的更新可將HVDC技術的不同發展階段進行劃分。HVDC發展的第一個25年,由汞弧閥換流技術支撐,到70年代中期為止;第二個25年到2000年為止,這個時期HVDC技術是由基于晶閘管閥的電網換相換流技術支撐;可以預計,在接下來的25年里,強迫換相換流器技術將占主導地位。隨著大功率開關器件成本的不斷降低,電容換相換流器將會被自換相換流器所取代。

2.1 功率器件的在換流器中的應用

HVDC系統的主要設備包括換流裝置、換流變壓器、平波電抗器、濾波器、電線路、接地極、無功補償裝置、控制保護系統。其中換流裝置、換流變壓器、有源濾波器、無功補償裝置、控制保護系統等都是以功率半導體器件為基礎。早期的大功率換流器,幾乎都是基于晶閘管的。換流器可以將電能進行交-直、直-交轉換,分為兩種基本結構類型:電流源型換流器CSC和電壓源型換流器VSC。

2.3 輕型直流輸電技術

隨著大功率GTO和IGBT開關的商業化,在過去的10年里,VSC的應用范圍也不斷擴大。采用大功率IGBT開關,VSC的額定值在雙極性結構下可以達到約±150kV、3000MW,且VSC可以與弱交流系統甚至無源網絡連接。HVDC light采用基于脈寬調制技術的控制方法,能靈活獨立的控制有功和無功功率,并能限制低次諧波,使濾波系統簡化,保證高水平的電能質量,同時使換流站更加緊湊,投資減少。但是,需要看到技術的更新不可能十全十美,必然伴隨著新問題。

功率半導體器件的使用必然會帶來諧波問題,而且IGBT硅的有效面積利用率低、損壞后會造成開路等缺點局限了其在高壓直流輸電系統中的應用。

與其它應用領域相比,HVDC技術隨著其電壓等級的不斷提高對功率半導體器件的性能提出了更高的要求,如大容量、高耐壓、高可靠性、低損耗等。使得功率半導體器件不得不采用器件串、并聯技術和復雜的電路拓撲來達到實際應用的要求,導致裝置的故障率和成本大大增加。可以看出一方面功率半導體器件促進了HVDC技術的發展,另一方面HVDC系統的正常運行與功率半導體器件的某些特性密切相關。對于高輸入電壓器件的研制,國內外許多器件工藝廠商都投入了大量的人力物力,控制技術領域也在研究對單個器件進行串并聯或進行模塊化。雖然這兩種方法可以大幅度提高功率半導體器件的耐壓、容量等性能,但綜合結果并不盡如人意,仍需要研究人員繼續努力。

3 總結

功率半導體器件的發展促進了高壓直流輸電技術的發生了重大變革,同時隨著高壓直流系統電源等級的不斷提高也對功率半導體器件的性能提出了更高的要求,指引功率半導體器件向著高耐壓、大電流、大容量、低損耗的方向發展。功率器件在不斷改進的過程中出現了許多新問題,這將是未來功率器件發展面臨的挑戰。隨著科技的不斷進步這些問題將會得到解決,這樣會進一步促進高壓直流輸電技術的進步。

參考文獻

[1] 袁立強,趙爭鳴,宋高升,王正元.電力半導體器件原理與應用[M].機械工業出版社,2011.

[2] 錢照明,盛況.大功率半導體器件的發展與展望[J].大功率變流技術,2010,1:1~9.

[3] 孫偉鋒,張波,肖勝安,蘇巍,成建兵.功率半導體器件與功率集成技術的發展現狀及展望.中國科學:信息科學,2012,42(12):1616~1630.

[4] 韓民曉.高壓直流輸電原理與運行[M].電力電子新技術系列圖書出版社,2009.

第2篇:半導體器件分析范文

關鍵詞:半導體器件;物理;教學改革

半導體器件物理是微電子學、電子科學與技術等專業的重要專業基礎課程,也是應用型本科院校培養新興光電產業所需的應用技術人才必備的理論與實踐基礎課程。該課程是連接半導體材料性質和器件應用的橋梁學科,在新興產業應用技術人才的知識結構中具有重要的基礎地位。因此,探討教學中存在的問題,改革教學的方式方法具有重要意義。

一、課堂教學中產生的問題及原因分析

1.學生聽課效率低,學習興趣淡薄,考試成績低

以某大學光電行業方向工科專業近三年半導體器件物理考試成績分布情況為例,表1中近三年學生成績均顯示出60分左右的人數最多,以60分為原點,其高分和低分兩側的人數呈現出逐漸降低的正態分布。從表1中還可以看出,成績低分人數逐年增多,成績偏離理想狀況較多。

2.針對問題分析原因

導致表1結果的原因有以下三方面:

(1)學生的物理基礎參差不齊,知識結構存在斷層

近年來,由于高考制度的改革,部分學生參加高考時未選報物理,物理僅作為會考科目使得相當一部分高中學生輕視物理的學習。當學生進入大學,有些專業大學物理成為必修課,由于學生高中物理基礎差別很大,因此,同一班級的學生物理學習能力就表現得參差不齊。

對于一般工科專業的學生(包括面向新興光電產業的工科專業)來說,他們大二或大三開始學習半導體器件物理課程(或半導體物理課程)時,他們的物理基礎只有在高中學過的普通物理和大學學過大學物理,其內容也僅涉及經典物理學中的力學、熱學、電學和光學的基本規律,而近代物理中的實物粒子的波粒二象性、原子中電子分布和原子躍遷的基本規律、微觀粒子的薛定諤方程和固體物理的基本理論均未涉及。半導體器件物理課程的接受對象,不僅在物理基礎上參差不齊,而且在物理知識結構上還存在斷層,這給該課程的教和學增加了難度。

另外,即使增加學習該門課程所必需的近代物理、量子物理初步知識和固體物理的基礎內容,但由于課程課時的限制,也決定了該課程在學習時存在較大的知識跨度,很多學生難以跟上進度。

(2)課程理論性強,較難理解的知識點集中

半導體器件物理課程以半導體材料的基本性質和應用為基本內容,內容編排上從理想本征半導體的性質和半導體的摻雜改性,到P型半導體和N型半導體結合形成半導體器件的核心單元,再到各種PN結的設計和控制,采取層層推進的方式,邏輯嚴密,理論性強,對學生的要求也高,每一部分的核心內容都要扎實掌握才能跟上學習的進度。同時,在各章內容講解過程中幾乎都有若干較難的知識點,如本征半導體性質部分的有效質量、空穴的概念、能帶的形成、導帶和價帶的概念等;半導體摻雜改性部分的施主、受主、施主能級、受主能級、半導體中的載流子分布規律、平衡載流子和非平衡載流子以及載流子的漂移和擴散運動;簡單PN結部分的平衡PN結、非平衡PN結、PN結的能帶和工作原理;不同專業在PN結的設計和控制這部分會根據所設專業選取不同的章節進行學習,面向光電行業的本科專業則通常選取半導體的光學性質和發光這部分來講授,該部分包含半導體的躍遷類型,以及半導體光生伏特效應和發光二極管等的工作原理。這些知識點分布集中,環環相套,步步遞進,因此理解難度較大。

(3)學習態度不端正的現象普遍存在

近幾年,在社會大環境的影響下,學習態度不端正現象在本科各專業學生中普遍存在。無故遲到曠課情況經常發生,作業抄襲現象嚴重,學生獨立思考積極性差。電子產品的普及也嚴重影響到了學生上課的積極性,很多學生成了手機控,即使坐在課堂上也頻頻看手機、上網。有些學生上課連課本都不帶,更談不上用記錄本記錄重點、難點。特別是半導體器件物理這門課程涉及的知識點密集,重點、難點較多,知識連貫性要求高,如果一些知識點漏掉了,前后可能就連貫不起來,容易使疑難問題堆積起來,對于不認真聽講的部分學生來說,很快就跟不上進度了。另外,學生畏難情緒較嚴重,課下也不注意復習答疑,迎難而上的精神十分少見。俗話說,“師傅領進門,修行在個人。”在課時緊張、學生積極性差、課程理論性強等多重因素影響下,教師的單方面努力很難提高課堂教學效率。

二、改進方法的探討

針對教學過程中發現的問題,本文從教學方法和教學手段兩個方面入手來探討該課程教學的改進。

1.教學方法的改革

半導體器件物理課程教學改革以建設完整的半導體理論體系和實踐應用體系為目標,一方面,著重在教學觀念、教學內容、教學方法、教師隊伍、教學管理和教材方面進行建設和改革,形成適合應用型本科專業學生的課程體系。另一方面,我國本科院校正處于教育的轉型發展時期,圍繞應用型人才培養目標,按照“專業設置與產業需求相對接、課程內容與職業標準相對接、教學過程與生產過程相對接”的原則,半導體器件物理課程改革重視基礎知識和基本技能教學,力爭構建以能力為本的課程體系,做到與時俱進。本課程改革具體體現在以下六個方面:

(1)轉變教學觀念

改變傳統向學生灌輸理論知識的教學觀念,以學習與新興行業相關的基礎知識和關鍵應用技術為導向,確定該課程在整個專業課程體系中承上啟下的基礎性地位,在教學觀念上采取不求深,但求透的理念。

(2)組織教學內容

為構建以能力為本的課程體系,本課程改革在重視基礎知識和基本技能的教學、合理構建應用型人才的知識體系的同時,力爭使學生了解半導體器件制作和應用的職業標準及其發展的熱點問題,并積極實現“產學研”一體化的教學模式,故此本課程改革分幾個層次組織教學內容。

第一層次為基礎知識鋪墊。為解決學生知識結構不完整的問題,在講授半導體器件物理之前要進行固體物理學課程知識的鋪墊,還要增加近論物理學知識,如原子物理和量子力學的知識,為學生構建完整的知識框架,降低認知落差。

第二層次為半導體物理基本理論,也是本課程的主體部分。包括單一半導體材料的基本性質、半導體PN結的工作原理、常見半導體結構的工作原理和半導體的光電及發光現象和應用。

第三層次為課內開放性實驗。在理工科學生必修的基礎物理實驗項目(如“電阻應變傳感器”、“太陽電池伏安特性測量”、“光電傳感器基本特性測量”、“霍爾效應及其應用”等)的基礎上,結合專業方向設置若干實驗讓學生了解半導體電子和光電器件的類型、結構、工作原理及制作的工藝流程以及職業要求和標準,還有行業熱點問題,激發其學習興趣,提高動手能力和實踐能力。

第四層次為開展課題式實踐教育,實現“產學研”一體化。為解決傳統教學理論和實踐脫節問題,以基礎物理實驗項目和針對各專業方向設置的與半導體器件應用相關的實驗項目為實踐基礎,開展大學生科技創新活動,鼓勵學生利用課余時間進入實驗室和工廠企業,利用已學理論對行業熱點問題進行思考和探究,加強實踐教學。

(3)調整教學方法

一方面,要正確處理物理模型和數學分析的關系,不追求公式推導的嚴密性,強調對物理結論的正確理解和應用。另一方面,充分利用現代化的教學設施和手段,變抽象為具體,化枯燥為生動,采用討論式、啟發式和探究式教學,調動學生積極性和主動性。

(4)建設教學隊伍

對國內知名院校的相關專業進行考察和調研,學習先進教學理念和教學方法,邀請國內外相關專業的專家進行講座,邀請企業高級技術人才和管理人才作為兼職教授來為學生講授當前最前沿、最先進的技術及產品,并參與教學大綱及教學內容的修訂。另外,鼓勵教師團隊充分利用產學研踐習的機會深入企業,提高教師隊伍的實踐經驗和綜合素質,為培養雙師型教師打下基礎。

(5)完善教材體系

教材是保證教學質量的重要環節,也是提高專業教學水平的有效方法。針對理工科專業特色方向及學生培養的目標,除選用經典的國家級規劃教材――《半導體物理學》以外,還組織精干力量編寫專業特色方向的相關教材,以形成完善的半導體理論和實踐相結合的教材體系,在教材中融入學校及專業特色,注重理論和實踐相結合,增加案例分析,體現學以致用。

(6)加強教學管理

良好的教學管理是提高教學質量的必要手段。首先根據學生特點以及本課程的教學目標合理制訂教學大綱及教學計劃。在授課過程中充分發揮學生主體作用,積極與學生交流,了解學生現狀,建立學生評價體系,改進教學方法、教學手段及教學內容等,提高教學質量。

2.教學手段改革

(1)采用類比的教學方法

課堂上將深奧理論知識與現實中可比事物進行類比,讓學生易于理解基本理論。例如,在講半導體能帶中電子濃度計算時,將教室中一排排桌椅類比為能帶中的能級,將不規則就座的學生類比為占據能級的電子,計算導帶中電子的濃度類比為計算教室中各排上學生數量總和再除以教室體積。讓學生從現實生活中找出例子與抽象的半導體理論進行形象化類比,幫助學生理解半導體的基本概念和理論。

(2)采用理論實踐相結合的方法

在教學中時刻注意理論聯系實際的教學方法,例如,根據學生專業方向,在講述寬帶隙半導體材料的發光性能時,給學生總結介紹了LED芯片材料的類型和對應的發光波長,讓學生體會到材料性質是器件應用的基礎。

(3)構建網上學習系統

建立紙質、網絡教學資源的一體化體系,及時更新、充實課程資源與信息,通過網絡平臺建設,實現課程的網絡輔助教學和優秀資源共享。這些資源包括與本課程相關的教學大綱、教材、多媒體課件、教學示范、習題、習題答案、參考文獻、學生作業及半導體行業發展前沿技術講座等。

(4)開展綜合創新的實踐

充分利用現有的實驗條件,為學生提供實踐條件。同時積極開拓校外實踐基地,加強校企合作,為學生實習、實踐提供良好的平臺,使課程教學和實踐緊密結合。鼓勵學生根據所學內容,與教師科研結合,申請大學生創新項目,以提高學生實踐創新能力及應用能力。

(5)改革考核體制

改變傳統以閉卷考試為主的考核方式,在考核體制上采取閉卷、討論、答辯和小論文等多種評價方式,多角度衡量、綜合評定教學效果。

參考文獻:

[1]劉秋香,王銀海,趙韋人,等.“半導體物理學”課程教學實踐與探索[J].廣東工業大學學報(社會科學版),2010(10):87-88,94.

[2]徐煒煒,黃靜.從半導體物理課程教學談高素質人才培養[J].南通航運職業技術學院學報,2009,8(4):97-99.

[3]王印月,趙猛.改革半導體課程教學融入研究性學習思想[J].高等理科教育,2003,47(1):69-71.

第3篇:半導體器件分析范文

關鍵詞:多媒體技術;半導體器件;教學改革

作者簡介:崔昊楊(1978-),男,吉林四平人,上海電力學院電子與信息工程學院,副教授。(上海 200090)

中圖分類號:G642 文獻標識碼:A 文章編號:1007-0079(2013)29-0049-02

一、課程特點概述

“半導體器件基礎”是高等學校電子科學與技術專業的一門重要的專業必修課。對于半導體器件課程的學習而言,任何一種半導體器件的物理原理、器件結構及其制造工藝流程都是相互融合不可分割的。雖然有“半導體物理”等先行課程的鋪墊,但在“半導體器件基礎”的教學過程中,由于傳統教學方法表述方式有限,對于半導體器件種類繁多、形貌各異、物理概念抽象、機制復雜繁瑣等問題不能很好地解決,因此學生對器件工作原理、性狀特征的講解并不容易接受。

隨著素質教育改革的全面展開,現代教學媒體特別是以計算機技術為核心內容的多媒體正逐步引入到日常的課堂教學中。相對于傳統教學一張嘴、一本書、一個黑板的教學方法,多媒體教學能夠把富有趣味的動畫、清晰的文字注解、極富邏輯的公式推導和大量圖畫呈現出來,使課程的學習不再枯燥乏味,而變得直觀形象、生動有趣,在短時間內調動學生多感官參與課堂互動,從而提高了教學信息的傳遞效率。[1]與此同時,多媒體技術本身固有的過于形象化的表述方式使得課程理論推導顯得困難,這就有必要在多媒體技術與傳統板書的使用過程中尋求平衡。本文僅就多媒體輔助教學技術在”半導體器件基礎”課程中的應用以及與傳統板書結合教學方式的實踐做文淺析。

二、多媒體教學概述

多媒體技術代表了現代教育技術的發展趨勢,必將對學校教育、遠程教育產生深遠影響。多媒體技術教學的應用在經歷了計算機輔助教學與輔助學習階段后,進入了多媒體技術與課程整合階段。在該階段,將多媒體技術應用到輔助教和輔助學上,強調利用多媒體技術創建理想學習環境、全新學習方式與教學方式,充分調動學生的主動性、積極性,使課堂教學結構發生根本變革,落實學生的創新精神與實踐能力,改變傳統教學結構和模式,實現學校素質教育,培養創新人才的目的。[2]

多媒體教學在廣義上有兩種含義,一種為運用多媒體組合教學,如幻燈、投影、電影、電視、錄音等電教設備的組合,另一種以計算機技術為核心教學模式,也是人們通常所理解的多媒體教學。本文所論述的多媒體教學為后一種含義。

三、多媒體技術與板書融合的教學模式

目前,課堂教學仍然是教學中主要采用的模式。由于課內授課時間極為有限,為達到教學目的,在課堂教學中,教師必須向學生提供更多的信息和資料以及更多額外的半導體器件相關知識點,以擴大學生知識面。而在傳統教學方式中,普遍采用板書方式大段書寫文字、畫器件原理示意圖并推導公式,無論是學生還是教師大部分時間得花在板書上。例如,在“半導體器件”課程教學中,如果采用純板書教學模式,無論是pn結、雙極性晶體管還是場效應晶體管,其剖面圖都比較復雜,僅是畫出這些圖就要占用大量的課堂時間,而且板書容量有限,反復擦除及板書畫圖都使效率降低,從而導致教學內容講解的時間被大量壓縮,教師和學生都會很疲憊且效果有限。[3]

以計算機技術為核心內容的多媒體教學技術能夠在較短時間內將各種內容呈現出來,教師和學生因此可以將更多的時間放在知識點的講解和學習上,學生也得到了較多的時間當堂復習鞏固;同時教師提供給學生的信息量大大增加,教學的難點和重點就更容易突破了。

1.以雙極性晶體管的相關知識點為例

雙極性晶體管是半導體器件中非常重要的一個知識點。傳統教學一般采用板書方式講解,首先要在黑板上畫出晶體管電流及載流子流向的示意圖,如圖1所示:

其次,要向學生說明載流子在集電區、基區、發射區中的運動規律。空穴從發射極注入到發射區,由于發射極正偏,空穴可以無損耗到達基區,由于基區是n型半導體,電子濃度高于空穴濃度,因此在基區由發射結注入的空穴被部分損耗。在放大模式下,集電極反偏,剩余的空穴被反向外加電場和pn結內間電場拉入集電區,形成空穴電流。同時,在發射結和集電結分別存在電子電流,并與空穴電流共同形成發射極、基極、集電極電流。像這些內容都屬于物理模型范疇,電子和空穴無法被肉眼看到,不能用實驗來直觀演示,因此學生很難理解載流子是如何在該器件中運動的。

在分析雙極性晶體管特點的基礎上,筆者改用多媒體技術模擬載流子在晶體管中流動,采用動畫的方式形象地將知識點呈現在學生面前,使枯燥乏味的教學活動充滿了魅力。例如Flas將載流子在晶體管中的運動做出了形象化的表述,如圖2(a)、圖2(b)所示:首先,電子從發射極注入到發射區,再擴散到基區,由于基區很薄,電子基本無損耗。其次,基區中的電子在集電結反偏的作用下被拉入集電區,從而形成電流。由于在Flash的播放中,無論是電子、空穴,還是電流,都是在畫面上動態移動,因此,學生很容易理解這一過程,從而突破了板書抽象講解這一難點。

在放映flas之后,學生對載流子的宏觀運動規律有了深刻理解。在此基礎上,再采用PPT分步講解雙極性晶體管中載流子在其中的運動,以及載流子在各區中的特性,如圖3所示。

通過Flash連續動畫和PPT分步講解后,學生既能夠掌握載流子和電流的宏觀運動規律,又能夠掌握其在微觀區的運動規律,因而更容易理解晶體管的工作原理。在此基礎上,運用板書推導各電極中的電流方程進行如下定量推導:

由于有了Flash和PPT講解電流的運動及形成原因,在板書推導電極電流公式的過程中,學生很容易理解這些抽象理論。無論是聽課教師還是學生對這種方法的反饋都很好。

2.以MOSFET晶體管相關知識點為例

該晶體管與之前的雙極性晶體管在機制上是不同的,這就需要對該類晶體管的原理進行詳細講解。傳統單一板書講解該知識點時也面臨著載流子動態化的難題,學生不容易理解載流子在晶體管中到底是如何運動的。采用多媒體動畫技術演示可以使載流子運動起來,從而達到形象生動的目的,如圖4為該動畫的截圖。

采用此動畫課間講解時,其中的電子是動態運動的,這樣學生就很容易理解在MOSFET器件中,載流子只能在柵極下半導體表面很窄的通道內運動,這個通道的寬窄程度可通過柵極電壓、漏源電壓進行控制。這樣就將靜態的教學內容轉化為圖像、聲音,激發了學生的興趣,加深了對概念的理解,提高了課堂的教學質量。

盡管采用多媒體動畫技術將抽象的知識點形象化了,但多媒體動畫只是教學過程中的第一步,學生所需要掌握的不只是器件的工作原理,還需要掌握定量的公式推導。但多媒體技術卻不宜整版播放公式,這是因為理論公式是人類邏輯思維的表述,而多媒體技術卻是形象思維的有效表達,若以形象思維的表達方式教授邏輯思維的推導,必然會適得其反。這時更適合采用板書的教學方法。在定性表述內容上采用多媒體演示,而在定量表述內容上采用板書推導,兩者有機結合,將極大提高教學信息量的傳遞,增強了課堂教學效果。多媒體技術與板書實現了優勢互補,課程的講解豐富而有實效,從而實現課堂教學效果的最優化。

四、結論

“半導體器件基礎”是一門相對抽象復雜的課程,傳統單一板書教學模式存在講解不生動、不透徹、信息量小等劣勢。教師在課程講解過程中,采用了多媒體技術與板書結合的教學模式,將抽象的知識點形象化、立體化,充分調動了學生聽、視覺和大腦思維能力,激發了學生的學習興趣和研究熱情,取得了事半功倍的教學效果。

參考文獻:

[1]賈志城.多媒體技術與電子線路課程的整合實踐[J].陜西廣播電視大學學報,2005,7(4):18-20.

第4篇:半導體器件分析范文

關鍵詞:D類數字功放;NPWM調制;高效率H橋;VFC2反饋控制

中圖分類號:TN722

1 音頻功放技術現狀

目前A類、B類和AB類模擬功放在市場上仍然占據著主要地位,這類功放工作在線性狀態,通常不采用感性器件,且在線性電路中,輸出與輸入保持著嚴格的比例關系,因此線性電路一般能得到很好的保真度,即極小的失真度。但是,既然晶體管始終工作在線性區,那么必將持續的產生較大的功率損耗,同時導致整個電路效率的大幅下降。低的效率會帶來以下問題:第一、功放管產生大量的熱量,影響自身可靠性;第二、體積龐大,難以實現小型化;第三、電能消耗大,運行成本高。因此,提高功放效率成為擺在人們面前的重要課題。

D類功放,也被稱為開關類功放和數字功放。這類功放中采用了容性和感性器件,理論上它們不損耗功率,同時拋棄了阻性器件和工作在線性區的半導體器件,加入了工作在開關狀態的半導體器件。這種半導體器件不是完全導通就是完全截止,在完全導通且流過較大電流的狀態下,半導體器件上的壓降為零,在完全截止的狀態下,半導體器件上的電流接為零,這種工作模式稱為“零電壓,零電流模式”,在理論上能夠實現零功率損耗。

實際使用中,由于半導體器件的導通阻抗和漏電流產生,其功率損耗是不可避免的,不過這種損耗微不足道,開關類功放的主要損耗是開關損耗――在完全導通態與完全截止態之間轉換時產生的功率損耗。顯然,這種開關損耗與線性功放產生的損耗比較要小很多。

因此,D類功放能夠解決傳統模擬功放效率低的問題。體積小、重量輕、效率高的數字功放在一些領域得到的大量的使用,如便攜式設備,移動電話、小型的音響系統和一些使用電池的設備中。但是,與模擬功放相比,D類數字功放的設計相當復雜,這阻礙了D類功放在一些領域中的應用。

2 高效率、高線性數字功放技術

本數字功放技術包含四個組成部分:輸入級,放大級,輸出級和誤差效正系統。其工作原理的簡單描述如下:

輸入模擬音頻信號首先經隔離放大器放大,然后與反饋回來的音頻信號一起送到誤差放大器,輸出放大的誤差音頻信號。三角波發生器產生高線性度的模擬三角波信號。將放大的誤差信號和三角波信號送到NPWM調制器,輸出PWM信號。PWM信號送到H橋驅動器進行預放大,同時在H橋驅動信號間插入死區時間(dead time)。H橋放大器對PWM信號進行放大,輸出功率PWM信號。功率PWM信號送到低通濾波器,輸出放大的模擬音頻信號。

準確的說,數字功放是一種DC-AC轉換器。

本文所論述的數字功放技術包括四個重要的關鍵技術:

(1)脈寬調制技術。

(2)MOSFET橋式放大電路設計。

(3)解調濾波器設計。

(4)誤差效正系統。

2.1 脈寬調制技術

脈寬調制(PWM)技術是數字功放技術的核心技術,讓脈寬調制信號與輸入音頻信號的變化形成某種特定關系,這就是脈寬調制技術的目的,脈寬調制技術分為兩種,分別是歸一化脈寬調制(UPWM)和自然采樣脈寬調制(NPWM)。本數字功放技術中使用的是NPWM調制。

已有的分析表明,三電平調制(NBDD)優于兩電平調制(NADD),特別是在高頻抑制特性方面。

本數字功放技術使用三電平調制(NBDD),并將其與全橋放大電路結合使用,得到了很好的效果。

2.2 MOSFET橋式放大電路設計

4 結論

本論文采用性能優良的NBDD脈寬調制方式以及控制結構簡單、穩定性好的VFC2反饋控制結構,并結合高效率的H橋放大器設計和合理的濾波器設計,完成了一款性能指標優良的數字音頻功率放大器的開發。技術指標達到了中檔模擬功放的水平,與國外同類產品指標相當。

數字功放技術在不斷的向前快速發展,數字功放的技術水平在不斷提高,我公司緊跟技術發展動向,今年正在開發、應用更高指標的數字功放技術,主要采用自振蕩NPWM調制,目前已開發出初樣,其失真度為0.005%,信噪比為120 dB,頻響為20Hz-40kHz,最大輸出功率達3000W,效率達92%。

參考文獻:

[1]Christopher N.Hemmings.Improving Class D Audio Power Amplifiers.University of Queensland,St Lucia,Department of Computer Science and Electrical Engineering,1999.

[2]Design Consideration for Class-DAudio Power Amplifiers.Texas Instruments Inc,1999,8.

[3]Class d tutorial.IR公司,2004,2.

第5篇:半導體器件分析范文

[關鍵詞]器件模擬仿真;網格劃分;步驟與策略;空間幾何區域;器件物理結構

[中圖分類號] G642 [文獻標識碼] A [文章編號] 2095-3437(2017)01-0092-03

一、前言

微電子產業規模和技術水平是衡量國家綜合實力的重要指標,在促進國民經濟可持續性發展的同時,對國家安全戰略的保護也有著重要的貢獻。[1]積極培養掌握先進半導體知識與集成電路設計技術并符合企業需求的高端人才,是高等學校肩負的不可推卸的重要職責。在微電子相關課程體系教學過程中,引入半導體器件計算機模擬仿真技術,可以幫助學生理解抽象、復雜的基礎理論,加強學生半導體技術實際應用能力的培養,實現理論教學與實踐教學的緊密結合[2],在一定程度上可以緩解教學投入與學校有限辦學經費之間的矛盾。

要順利開展半導體器件模擬仿真工作,首先面臨所謂的網格劃分問題。[3]網格劃分指的是將非線性偏微分方程所描述的幾何區域分割成有限個子區域的方法,把非線性偏微分方程的求解,簡化為在更小單個子區域內線性方程組的求解。網格劃分的優劣決定了方程求解速度的快慢,關系到數值求解是否能收斂及誤差大小。在正確劃分網格的基礎上,越細致的網格,得到的數據與真實值的誤差就越小,但仿真任務所需計算時間增加的就越快,所需計算硬件資源就越多越昂貴,甚至超出高等學校實際的辦學條件。

半導體工藝及器件仿真工具Sentaurus TCAD是由Synopsys公司開發的最新軟件,可以用來模擬集成器件的工藝制程、器件物理特性和互連特性等,支持的仿真器件類型包括CMOS、功率器件、存儲器、太陽能電池和光電探測器等,在高校微電子與半導體相關專業教學中逐漸得到了推廣。[4][5]本文將以Sentaurus 軟件對半導體PN結仿真模擬的任務為例,針對軟件中SDE模塊中涉及的網格劃分的主要內容與方法進行歸納整理,為相關課程的教學提供參考借鑒。

二、步驟與策略

網格的劃分大致分為三個步驟:定義網格劃分的策略,定義劃分網格的區域,將網格劃分的策略施加到相應區域上。這是SDE中網格劃分的基本的方法,當有部分區域沒有被定義為網格劃分區域時,將自動為該部分區域進行網格劃分,但相對劃分的部分會粗略許多。

對于網格區域的定義需要根據器件的結構和網格的劃分策略,SDE中提供了三種網格區域定義的方法:自定義窗口區域(Window)、通過選定器件的結構區域(Region)、通過選定器件的材料(Material)。三種網格區域定義的方法各有側重,需要根據情況得當使用。

在網格區域劃分的基礎上便需要進行網格劃分策略的選擇,定義網格劃分的策略也是網格劃分過程中最核心的部分。軟件中網格劃分的基本思路是,在三個坐標軸方向上設定最小(Min)和最大劃分因子(Max)的值,通過調節比例參數(Ratio),改變最小因子到最大因子的變化速率(當比例參數為1時表示選用最小劃分因子進行相應坐標軸上的劃分)。按照各坐標軸的正方向由最小因子至最大因子的步長,并由最大因子的步長完成整個網格劃分剩余的過程。在這里將網格劃分的策略分為主要的兩類:一種是按幾何區域進行網格劃分,另一種是按器件的結構、區域以及材料的分布進行網格劃分。系統存在自動網格劃分的機制,這些機制針對沒有進行網格劃分區域定義的器件區域部分以及定義了網格區域但是沒有定義網格劃分策略的區域。系統是會自動對上述部分進行網格劃分的。

三、空間幾何區域方法

在SDE中構建了一塊PN結構器件的2D模型,分別定義了兩種具體的網格劃分策略,如表1所示。圖1為沒有添加網格劃分策略定義的狀態下,系統自行生成的粗略網格劃分。圖2為只對從(-2.0,0.5)到(2.0,1.5)矩形區域執行策略1的網格劃分。圖3為對相同區域執行策略2的網格劃分。由圖可知,在無網格劃分策略定義區域內,同樣執行了網格劃分的過程,這些區域的網格劃分與有定義網格劃分策略的區域具有匹配性,尤其是在兩區域之間的過渡區。這樣的機制使得策略定義區域和無策略定義區域通過過渡區域相吻合,提高了數學求解時邊界條件的連續性,有利于減小誤差。

當不同策略定義疊加在同一幾何區域內時,網格劃分結果將變得不一樣。例如,先對器件從(-2.0,0.0)到(2.0,2.0)整個矩形區域執行表1中策略1的網格劃分,再對從(-2,0.5)到(2,1.5)區域執行表1中策略2的網格劃分,得到的網格劃分結果如圖4所示。若將這兩個區域內網格劃分策略對換一下,也就是先對從(-2.0,0.0)到(2.0,2.0)區域執行策略2的網格劃分,再對從(-2,0.5)到(2,1.5)區域執行策略1的網格劃分,得到的網格劃分結果將如圖5所示。由此實驗可以看出,對同一區域施加多個網格劃分策略時,系統會優先采取網格劃分較為細致的一種方案,同時在兩種不同策略網絡劃分區域之間,網格劃分較為粗糙的一側生成過渡區域。過渡區域完成從網格劃分較為細致一側區域向較為粗糙一側區域的過渡。

四、器件物理結構方法

第二類網格劃分的策略,按器件結構、功能層或材料屬性的不同進行網格劃分,這種網格的劃分策略能夠更加具體針對的器件物理結構。因為器件仿真時往往需要對界面處的參數進行針對性考慮,因而對界面處的網格劃分也需要進一步的細化。以界面處作為放射邊(面)進行擴散式的網格劃分,往往比單純的以幾何區域定義劃分網格的方法更加合理。

在SDE中提供了三種主要的第二類網格劃分的策略:對于同質結材料針對不同摻雜進行不同的網格劃分;針對不同的器件結構梯度(Gradient)進行不同的網格劃分;針對不同界面(interface)進行不同的網格劃分,這也適用于由異質結不同材料形成的界面,結構定義時不同的結構部分形成的界面以及電極的界面。

這類策略中第三種針對界面進行網格劃分,是廣泛采用的一種方法。還是以PN結為例,p型區域和n型區域交界處的有源層是PN結器件工作的核心區域,此處區域需要網格劃分時的額外細化。如圖6與圖7中分別定義了兩種以區域界面處為劃分的網格劃分策略。界面雙側采用細致的網格劃分策略,遠離界面處的網格則漸變到采用較粗略的劃分策略。網格劃分時從界面處采用最小的劃分因子作為步長,向外按照比例參數逐漸增大網格劃分步長,直至步長為所定義的最大網格劃分因子,并保持最大網格劃分因子的劃分步長直至終止邊界。圖7中采用的網格劃分策略較圖6相對更細致一些,這在圖中得到了明確反映。這種針對界面處的網格劃分,在不規則非平面的器件界面中可以得到更直觀明顯的表現。圖8就定義了一種針對凹形材料界面的漸變策略的網格劃分結果。

五、結語

空間幾何區域劃分網格的方法,需要手動的對一些特殊的區域進行定義,當需要仿真者主觀的對某些指定區域進行網格細化時這種方法比較適用。器件物理結構劃分方法,可依據所構造器件的尺寸來設定劃分因子,最大因子與最小因子按照器件在相應坐標軸上的尺寸進行縮小。通過在代碼開頭的定義部分確定因子相對器件尺寸的縮小比例值,在網格劃分部分調用尺寸縮小比例值完成網格劃分的過程。這種方法方便了網格的定義過程,提高了代碼修改的效率,使得網格的劃分更趨向于合理。本文以PN結為例,討論了分別用空間幾何區域方法和器件物理結構方法進行不同策略網格劃分得到的實驗結果,重點是對器件仿真中所面臨的網格劃分方法進行歸納與總結,希望為微電子和半導體相關專業學生的學習提供拋磚引玉的作用。

[ 參 考 文 獻 ]

[1] 施敏.現代半導體器件物理[M].北京:科學出版社,2001.

[2] 商世廣,趙萍,鞏稼民,邢立冬.集成電路工藝原理與實踐課程體系改革與探索[J]. 大學教育,2015(11):112-114.

[3] 趙俊峰.半導體器件模擬的網格劃分與加密[D].成都:電子科技大學,2013.

第6篇:半導體器件分析范文

此舉,對江蘇省半導體照明產業來說,令人振奮;對科技部正在“十城萬盞”萬盞工程來說,同樣提振人心。

回顧“十城萬盞”工程實施一周年的歷程,我國的半導體相關科研院所、檢測機構做出了許多可圈可點的貢獻。僅以上海為例,上海擁有同濟大學與照明藝術研究中心、復旦大學光源與照明工程系、復旦大學材料科學系、上海光機所、上海技術物理研究所、上海光學儀器研究所、國家光學儀器質檢中心等科研院所、檢測機構。

近年,上海已在綠色照明光源領域取得多項技術突破,在半導體照明材料的制備、工藝、器件的研究和應用等方面開展了許多富有成效的研究,并已取得了一些具有國際先進水平和自主知識產權的關鍵技術,為產業化應用奠定了堅實的基礎。2009年,上海市LED產業實現產值100億元,其中,上海市的科研院所、檢測中心功不可沒。

同樣,各試點城市取得的成績,軍功章上也有科研院所及檢測機構的“一半”。但面對成績,科研院所及檢測機構真的可以高枕無憂了嗎?

雖然時間過去了兩年,但提及“337”事件、提及那位令人發怵的“美國老太太”,半導體照明產業從業者們依然如鯁在喉。

目前,我國的半導體照明研發中,依然存在諸多需要反思的問題。眾所周知,作為一個科技含量較高的產業,要想實現半導體產業的利潤最大化,掌握其核心技術,是必然的選擇。

然而,反觀我國半導體產業現實,半導體照明行業的核心專利中絕大部分都被日亞、豐田合成、科銳等國外LED企業所壟斷。我國LED企業所申請的專利主要集中于,保護范圍較小。目前除南昌晶能光電外,其余芯片企業的技術或多或少都涉及一些專利侵權。據了解,目前我國LED封裝所用的兩類熒光粉YAG:Ce 和YAG:Tb 的專利也分別為日亞、歐司朗所掌控。

因此,加強擁有核心自主知識產權的各種材料的研究,對相關科研院所來說,迫在眉睫。

從長遠來看,如果無法打破國際LED巨頭的技術壟斷,則那位令人發怵的“美國老太太”導演的LED行業“337”事件,將會一次次地重演。

2010年1月11日,總理在國家科學技術獎勵大會上發表了重要講話。溫總理在講話中強調:“要緊密跟蹤世界經濟科技發展趨勢,大力發展戰略性新興產業。在新能源、新材料和高端制造、信息網絡、生命科學、空天海洋地球科學等領域,推動共性關鍵技術攻關,加快科研成果向現實生產力轉化,逐步使戰略性新興產業成為可持續發展的主導力量。”

科學技術是第一生產力!

我們相信,相關科研院所、檢測機構定能不負重望,在未來的“十城萬盞”工程推進中,擔負起半導體照明核心技術研發的重任,力爭打破國際LED巨頭的技術壟斷,促進我國的LED產業健康發展。

北京大學寬禁帶半導體研究中心

北京大學寬禁帶半導體研究中心,是國內寬禁帶半導體的主要研究基地之一。

物理學院Ⅲ族氮化物半導體研究組1993年起在國內最早開展了MOCVD生長GaN基材料與藍光LED的研究工作,成功地研制出GaN基藍光、綠光和白光LED,掌握了擁有自主知識產權的GaN基LED制備關鍵技術,在上海依靠自己的技術建立了北大藍光公司并成86計劃產業化基地。中心在半導體照明用大功率白光LED研制和GaN基脊型LED研制上又取得了重大突破。

北京工業大學北京光電子技術實驗室

國家有色金屬復合材料工程技術研究中心

北京工業大學北京光電子技術實驗室國家有色金屬復合材料工程技術研究中心,是國家級工程中心。中心主要從事顆粒增強復合材料、有色金屬半固態加工技術、噴射成形技術、激光快速成形技術、先進霧化技術等研究開發工作。

主要研究方向包括:顆粒增強金屬基復合材料制備技術、有色金屬半固態加工技術、噴射成形技術、激光快速成形技術、快速凝固氣霧化技術、超聲霧化技術、快冷鑄帶技術、金屬納米制備技術等。

“九五”以來,產業建設取得較快的發展,建成了具有一定規模的SMT焊粉和粉末觸媒2條生產線,形成了焊粉、焊料、噴涂粉末、觸媒等具有特色的高技術產品。

清華大學電子工程系集成電子學國家重點實驗室

清華大學集成光電子實驗室是國內從事光電子材料與器件及其在光纖通信與網絡中的應用技術的主要研究基地,在許多重要的研究領域取得了突出成果。

實驗室重點研究基于半導體光電子材料、低維納米結構材料和石英光纖的各種新型光電子器件以及集成器件,研究上述器件在光纖通信系統與網絡、信息處理與平板顯示系統中的應用技術,及其未來高速、寬帶光纖通訊與網絡技術。

自1999年10月起,實驗室開始GaN基藍綠光LED研究,在GaN基LED材料的MOVCD外延生長、器件制備、管芯封裝以及系統應用技術的研究等方面積累了豐富的經驗。

中國電子科技集團公司第四十五研究所

中國電子科技集團公司第四十五研究所是國內從事電子專用設備技術、整機系統和應用工藝研究開發與生產制造的專業化科研生產單位,傳承50年半導體專用設備研發經驗,在微電子學、精密光學、計算機應用、自動控制、精密機械、液壓、氣動及系統工程等諸多技術應用方面居國內領先地位。

目前,研究所已形成以IC關鍵工藝設備“光刻機”為龍頭,晶圓加工設備、芯片封裝設備及電子元件設備等門類齊全,系列配套的產品。由我所研制的材料加工、光刻、清洗、中測、劃片、鍵合設備在國內處于技術領先地位并已具備規模生產能力。

中科院物理研究所

中國科學院物理研究所是以物理學基礎研究與應用基礎研究為主的多學科、綜合性研究機構。研究方向以凝聚態物理為主,包括凝聚態物理、光物理、原子分子物理、等離子體物理、軟物質物理、凝聚態理論和計算物理等。

近年來,物理所新型化合物材料實驗室利用MOCVD設備,進行超高亮度GAN基光二極管關鍵技術研發,具有完善的研發和測試設備。近年出色地完成了多項國家計劃、973計劃、科學院創新計劃等項目。目前正致力于提高LED材料發光效率、深紫外材料、非極性材料、單芯片白光材料等領域的研究。

中科院半導體照明研發中心

中國科學院半導體照明研發中心經幾年的基本建設,已經成為半導體照明科學技術的創新中心及我國半導體照明產業可持續發展的技術輻射中心和產業服務平臺。中心在半導體照明核心,技術方面取得了重大突破,形成了一系列成果和知識產權。

中心在半導體照明重大設備、材料生長、器件工藝、重大應用等方面與國內外相關研發機構建立了良好的關系。通過技術輻射,增強了國內外相關企業的競爭力,促進產業整體水平的提高,有力地推進了半導體照明用LED的發展和應用。

中國電子科技集團第四十六研究所

中國電子科技集團公司第四十六研究所始建于1958年,是國內最早從事半導體材料和光纖材料技術研究開發與生產的專業科研單位之一。

經過四十多年的發展壯大,我所目前已形成三大專業科研領域,主要涉及半導體電子功能材料、特種光纖材料的研究開發和電子材料檢測,并承擔一定的生產任務。該所質量檢測中心是信息產業部專用電子材料質量檢測中心,主要承擔對電子材料的檢測、檢測技術改進等任務,將建成國家級電子信息材料的檢測中心。

中國電子科技集團公司第十三研究試驗中心

中國電子科技集團第十三研究所試驗中心國家半導體器件質量監督檢驗中心和信息產業部半導體器件產品質量監督檢驗中心,是國家首批規劃的100個國家級中心之一。

中心曾多次承擔以高頻、超高頻低噪聲晶體管和微波晶體管為主的半導體分立器件的生產許可證確認試驗、仲裁試驗、創優試驗和鑒定試驗。同時還是全國半導體標準委員會主任單位、IEC/TC 47的歸口單位及國際標準化工作網秘書單位,曾多次承擔或參與國家標準和專業標準的制定、修訂及標準的驗證工作。

吉林大學

有機白光器件(WOLED)是下一代節能照明型技術之一,WOLED具有以下特點:是一種面光源,實用于高性能照明設備的制備:進一步發展的柔性WOLED在民用與國防照明方面應用前景更為廣闊;工藝簡單、有益環保、原料豐富、與無機LED有互補性。吉林大學在有機白光材料與器件方面取得了一系列有意義的研究成果。

中國科學院長春光學精密機械與物理研究所

中國科學院長春光學精密機械與物理研究所(簡稱“長春光機所”)以知識創新和高技術創新為主線,從事基礎研究、應用基礎研究、工程技術研究和高新技術產業化的多學科綜合性基地型研究所。

該所在以王大珩院士、徐敘院士為代表的一批科學家的帶領下,在發光學、應用光學、光學工程和精密機械與儀器等領域先后取得了1700多項科研成果,研制出了中國第一臺紅寶石激光器、第一臺大型經緯儀等十多項“中國第一”,被譽為“中國光學的搖籃”。

中國科學院長春應用化學研究所

經不懈努力,中國科學院長春應用化學研究所現已發展成為集基礎研究、應用研究和高技術創新研究及產業化于一體的綜合性化學研究所,成為我國化學界的重要力量和創新基地。

在“光電功能高分子與塑料電子學”方向,研究所以發展光電功能高分子的可控合成、微加工攻器件組裝涉及的關鍵科學問題為核心,圍繞平板顯示、照明光源、光通信組件等應用目標,以“分子工程―凝聚態調控―微加工方法―器件工程”研究鏈條為主線,在高分子設計與合成、高分子薄膜生長與調控、微加工方法學、器件工程等方面開展具有重大科學目標導向的基礎研究。

同濟大學

同濟大學是教育部直屬重點大學,是首批被國務院批準成立研究生院的高校之一,并被列入國家財政立項資助的"211工程"和國家教育振興行動計劃與地方重點共建的高水平大學行列。

“九五”以來,同濟大學圍繞信息、生物、新材料、能源、汽車制造、機電一體化、環保等高新術領域,取得了一大批高新技術重大科研成果。

同濟大學正在承擔著近百項“863”項目及國家攻關項目,一大批高新技術和科研技術實現了產業化,取得了巨大的社會效益和經濟效益。

中國科學院上海光學精密機械研究所

中國科學院上海光學精密機械研究所(簡稱中科院上海光機所)現已發展成為以探索現代光學重大基礎及應用基礎前沿研究、發展大型激光工程技術并開拓激光與光電子高技術應用為重點的綜合性研究所。

上海光機所重點學科領域為:強激光技術、強場物理與強光光學、信息光學、量子光學、激光與光電子器件、光學材料等。

經多年的努力,上海光機所在各種新型、高性能激光器件、激光與光電子功能材料的研制方面進入了國際先進水平。

江蘇省光電信息功能材料重點實驗室

江蘇省光電信息功能材料重點實驗室以南京大學微電子學與固體電子學國家重點學科為主干學科,部分覆蓋理論物理國家重點學科、光學與光電子學和有機化學兩個博士學科點。部分覆蓋的研究機構有南京大學金屬有機化合物(MO)源工程研究開發中心,南京大學光通信系統與網絡工程研究中心。交叉與支撐研究機構有南京大學固體微結構國家重點實驗室、現代分析中心、固體物理研究所等。

實驗室的建設目標是:成為一個開放的、具有國際競爭力的新型光電信息功能材料研究和開發中心,一個材料、電子、物理和化學學科交叉的高素質信息功能材料人才培養基地

杭州師范大學有機硅化學及材料技術教育部重點實驗室

杭州師范學院有機硅化學及材料技術實驗室,從1991年開始從事有機硅化學及材料技術的研究與開發,是教育部系統最早為國防軍工配套的民口研制單位之一、中國氟硅材料工業協會(硅)理事單位、中國材料網副理事長單位,現為杭州市、浙江省和教育部重點實驗室。

可進行有機硅及硅酮塑料等有機材料的研制、開發,也可以進行由原材料到產品的性能檢測及結構和性能關系分析等工作。還建立了“863”項目轉化基地,實現了產業化技術開發批量生產,為用戶提供有機硅材料、制件、產品技術。

中國計量學院信息工程學院

信息工程學院早在1985就初具雛形,其中無線電計量與測試是學校最早的專業之一。2000年8月,信息工程學院由原信息工程系與計算機科學與技術系組成而建,現主要從事電子信息與通信技術、計算機技術和生物醫學工程等領域的教學和研究工作。

學院設有3個學科性研究所:電子信息與通信研究所、計算機應用技術研究所和計算機軟件研究所。

廈門大學

廈門大學半導體物理學科曾經創造過許多國內第一,包括全國第一臺晶體管收音機,第一個GaP紅色、綠色、黃色的平面LED,第一臺平板示波器等,在半導體材料和器件研發,尤其在具有光電子功能的半導體研究方面,擁有雄厚的研究力量。

曾經在晶體管收音機、平面LED、平版顯示器、ZNS場致發光、LED測量、半導體材料設計等研究方面取得了重大成果,為國家半導體科學的發展作出了重要的貢獻。在有光電子功能的半導體研究上,形成了VI族、Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅳ族材料和器件門類齊全的研究力量。

山東大學晶體材料國家重點實驗室

晶體材料國家重點實驗室是我國首批建設的重點實驗室之一,主要致力于應用基礎研究。

目前,晶體材料國家重點實驗室已發展成由材料學、凝聚態物理兩個國家級重點學科和材料科學與工程、物理學、化學三個一級學科博士點支撐的高層次人才培養基地以及上、中、下游緊密銜接的科技成果輻射基地。

國家重點實驗室建立以來,先后有LAP、KTP、雙摻雜TGS、KNSBN、KTN、NdPP、NYAB、LT、DKDP、KDP、MHBA、BN等晶體材料的創新性研究工作受到了國際同行的廣泛關注。

武漢光電國家實驗室微光機電系統研究部

武漢光電國家實驗室,是科技部于2003年11月批準籌建的五個國家實驗室之一。

武漢光電國家實驗室是國家科技創新體系的重要組成部分,也是“武漢.中國光谷”的創新研究基地。在光電子研究方面,實驗室著眼于解決國家光電子產業發展中的重大關鍵技術問題,為推動武漢國家光電子產業基地的建設和發展提供原創性、實用性科研成果;為推動民族光電子產業進一步發展,提升我國光電子產業國際競爭力提供強有力的科學和技術支撐。

華南理工大學高分子光電材料與器件研究所

華南理工大學材料科學與工程學院高分子光電材料及器件研究所(簡稱光電所)在高分子發光材料及器件、高分子光伏材料及器件及高分子場發射材料及器件三個國際前沿領域展開特色研究。

目前承擔的科研任務以國家級項目為主,包括科技部提出的國家高技術重大研究計劃項目(863),國家重大基礎研究項目(973)和國家基金委重大研究項目等,光電所是973首席科學家單位。此外,還有教育部、廣東省、廣州市重大或專項項目。

國家半導體器件質量監督檢驗中心

國家半導體器件質量監督檢驗中心籌建于1986年,為國家首批規劃的100個國家級中心之一,1990年通過原國家技術監督局審查認可和國家計量認證,并授權開展工作,成為對半導體器件產品進行檢測工作的第三方中立機構。

中心曾多次承擔以高頻、超高頻低噪聲晶體管和微波晶體管為主的半導體分立器件的生產許可證確認試驗,仲裁試驗,創優試驗和鑒定試驗。同時還是全國半導體標準委員會主任單位,IEC/TC47的歸口單位,國際標準化工作網秘書單位,曾多次承擔或參與國家標準和專業標準的制訂、修訂及標準的驗證工作。

中心可按照GB、GJB、SJ、IEC、MIL標準對半導體器件、集成電路、微波組件、小整機、微型計算機、印制電路板等進行測試、篩選、DPA試驗、老化試驗以及鑒定檢驗和質量一致性檢驗。

國家電光源質量監督檢驗中心(北京)

國家電光源質量監督檢驗中心(北京)是國家質量技術監督局授權的國家級照明電器專業檢測中心,具有獨立的法人資格。中心下設辦公室、光源檢驗室、電器附件檢驗室、燈具及燈頭燈座檢驗室和壽命檢驗室。中心于1995年通過中國實驗室國家認可委員會的認可(按ISO導則25),并在2002年按ISO/IEC17025標準變更了質量體系。

檢測中心的主要業務是對照明電器產品進行產品安全認證、節能認證、驗貨檢驗、委托檢驗,以及承擔國家、北京市相關部門下達的照明產品質量抽查、新產品技術鑒定、產品質量仲裁等檢驗任務。是中國電光源行業中專業水平最高、技術能力最強、經驗最豐富、設備設施最齊全的專業檢測中心之一。

國家電光源質量監督檢驗中心(上海)

國家電光源質量監督檢驗中心(上海)于1992年成立,行政上隸屬于上海市質量監督檢驗技術研究院。中心是專門從事電光源等照明設備的檢測機構,授權檢測能力共79項184個標準。國家電光源質量監督檢驗中心(上海)是經中國合格評定國家認可委員會認可的實驗室、國家認證認可監督管理委員會指定CCC認證檢測機構。

國家電光源質量監督檢驗中心(上海)可對LED模塊用直流或交流電子控制裝置等附件、固體發光光源(LED發光二極管、OLED有機發光材料、EL平面可彎曲發光材料)等光源產品進行安全、性能和節能指標的檢測,同時能提供照明產品的EMC檢測服務。

國家通用電子元器件質量監督檢驗中心

國家通用電子元器件質量監督檢驗中心(信息產業部電子第五研究所元器件檢測中心)是中國第一批獲得國際/國家認可和授權、專業從事電子元器件檢測、鑒定和評價的非盈利性第三方檢驗機構,是按照ISO/IEC17025建立的文件化質量管理體系的國家級實驗室。目前,試驗室已在上海、并將在深圳、北京設立辦事處。

中心依托信息產業部電子第五研究所在電子元器件測試、試驗、評價等領域的專業技術優勢,采用國際一流設備,與國內外著名專業技術機構合作,計劃建設成具有年測10億片封裝集成電路和30萬片集成電路裸片測試能力的中國最大的集成電路綜合測試基地。

國家半導體照明產品質量監督檢驗中心(籌)/江蘇省工礦及民用燈具產品質量監督檢驗中心

第7篇:半導體器件分析范文

公司設立網站的初期,一定要準確定位網站的需求,明白網站為誰服務?決定購買的最終需求方是誰?網站必須針對合適的客戶進行設計和推廣,只有確定真正的用戶,網站才會贏得成功。

美國國家半導體公司是一家為全世界提供半導體器件和芯片的全球性公司。1994年國家半導體公司建立了公司網站,網站一開始就進行了周密的市場調查,結果發現那些在購買鏈最底層的客戶——那些為設計產品選擇組件,并對這些組件進行技術評估的工程師才是影響購買的最關鍵因素,而不是通常認為的定購元器件的采購官員。網站準確的市場定位獲得了極大的成功,在國家半導體公司網站運行不到兩年的時間內,就吸引了全世界約150萬用半導體器件設計產品的設計工程師的三分之一——超過50萬的設計工程師上網獲取他們感興趣的芯片的最新消息。

在國家半導體公司網站運行的頭兩年內,每個月上網訪問的人數有50萬。這些客戶中有40℅將網站網址作為“書簽”。國家半導體公司的網站獲得了巨大的成功,提升了在全球市場的占有率。以下將介紹其成功的因素、網站功能和應該注意的問題。 二、商業目標

國家半導體公司的商業目標是建立一個世界性的網站,這個網站可以極大的便利公司客戶查詢信息,進行定購和直接購買。以下是國家半導體公司的主要商業目標:

快速處理客戶的查詢需求,使客戶可以得到最新的產品信息

進行網上預定和購買

緩解電話中心的壓力,降低公司運營成本

建立一個快速反應系統,及時了解客戶的需求,改進服務和產品

縮短產品評估周期,及時更改設計方案

滿足最終用戶、銷售商、零售商的不同需求

擴大市場份額,開拓全球市場

國家半導體公司希望通過建立公司網站的形式,達到以上的目的,成為全球市場占有率最高的半導體元器件供應商。 三、成功因素

1、精確的市場定位

國家半導體公司在決定建立網站之初做了精密的市場調查,最后分析得知影響產品銷售的最關鍵因素是是那些利用國家半導體公司的芯片設計產品的設計工程師,而不是以前一直認為的定購元器件的采購官員。認識到這一點后,國家半導體公司將其網站初期的針對對象定義為通過網站查詢元器件信息的設計工程師。

通常元器件需求的流程是:工程師們在設計新產品或改進原有產品時,需要查找他們需要的所有零件,所以他們查找制造商所提供的零件目錄和數據表,與制造商人交談,并索要樣品。一旦一個零件變成產品設計中的一部分,那么代表制造組織利益的購買部門就開始進行實際的購買了。

國家半導體公司從基本的市場調查研究起步,尋找客戶的價值取向,得知客戶與公司打交道的方式。公司每隔三個月就檢測一次客戶對其網站的反應,并與客戶對其他競爭者網站的反應進行比較,從而使國家半導體公司在與競爭者的競爭過程中占據了主導地位。

2、不斷提高網站利用效率

國家半導體公司在跟蹤客戶的網上行動方面做得非常出色。通過查看客戶路徑紀錄,網站的開發者設計出一種讓客戶用最少的步驟輕松進入系統,找出客戶想要的東西,獲得它們,然后退出的整個過程。

由于客戶都是工作繁忙的工程師,在上網查詢時都想盡快的減少查詢時間,提高效率。為滿足客戶的這種需求,國家半導體公司提出了產品文件夾的方式。公司為每一件產品都設立了單獨的文件夾,在產品文件夾中,客戶可以找到與此產品相關的所有信息,包括數據表、價格信息、軟件仿真、詳細的技術說明、可獲得性(即什么時候有此產品,以及產品的數量)和定購樣品的方法。 通過嚴密監控客戶的網上活動的方法,國家半導體公司的網絡小組在不斷地節約客戶的時間。在1995年春網站剛剛建立的時候,客戶在退出之前一般都要“碰上”七至八頁網頁。兩年以后,客戶在進入網站和退出網站之間,平均只需瀏覽2.5個網頁。他們進入主頁,查詢,進行交易(例如,定購樣品、下載數據表、或給產品管理員發電子郵件),然后退出。

3、精確的查詢方法

為滿足客戶的快速反應需求,國家半導體公司提供了四種不同的查詢方法。分別是:參數查詢、引擎文本查詢、圖表查詢和在線目錄查詢。客戶從而獲得了方便快速的查詢方式,節約了客戶的時間。

4、有效利用電子郵件

國家半導體公司對客戶的來信十分認真。每封來自客戶的電子郵件都送入公司數據庫,通過自動過濾和自動傳送方式,這些電子郵件被送到最合適的人如公司的產品管理者、市場管理者和技術人員進行處理,并進行跟蹤直到完成郵件的最終處理,而不是簡單地把所有郵件都 透視美國國家半導體公司網站的成功要素 _ 文庫 _ 中國營銷傳播網 在線投稿 熱銷叢書

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透視美國國家半導體公司網站的成功要素

中國營銷傳播網, 2000-08-17, 作者: 曲東榮, 訪問人數: 2011

一、介紹

公司設立網站的初期,一定要準確定位網站的需求,明白網站為誰服務?決定購買的最終需求方是誰?網站必須針對合適的客戶進行設計和推廣,只有確定真正的用戶,網站才會贏得成功。

美國國家半導體公司是一家為全世界提供半導體器件和芯片的全球性公司。1994年國家半導體公司建立了公司網站,網站一開始就進行了周密的市場調查,結果發現那些在購買鏈最底層的客戶——那些為設計產品選擇組件,并對這些組件進行技術評估的工程師才是影響購買的最關鍵因素,而不是通常認為的定購元器件的采購官員。網站準確的市場定位獲得了極大的成功,在國家半導體公司網站運行不到兩年的時間內,就吸引了全世界約150萬用半導體器件設計產品的設計工程師的三分之一——超過50萬的設計工程師上網獲取他們感興趣的芯片的最新消息。

在國家半導體公司網站運行的頭兩年內,每個月上網訪問的人數有50萬。這些客戶中有40℅將網站網址作為“書簽”。國家半導體公司的網站獲得了巨大的成功,提升了在全球市場的占有率。以下將介紹其成功的因素、網站功能和應該注意的問題。 二、商業目標

國家半導體公司的商業目標是建立一個世界性的網站,這個網站可以極大的便利公司客戶查詢信息,進行定購和直接購買。以下是國家半導體公司的主要商業目標:

快速處理客戶的查詢需求,使客戶可以得到最新的產品信息

進行網上預定和購買

緩解電話中心的壓力,降低公司運營成本

建立一個快速反應系統,及時了解客戶的需求,改進服務和產品

縮短產品評估周期,及時更改設計方案

滿足最終用戶、銷售商、零售商的不同需求

擴大市場份額,開拓全球市場

國家半導體公司希望通過建立公司網站的形式,達到以上的目的,成為全球市場占有率最高的半導體元器件供應商。 三、成功因素

1、精確的市場定位

國家半導體公司在決定建立網站之初做了精密的市場調查,最后分析得知影響產品銷售的最關鍵因素是是那些利用國家半導體公司的芯片設計產品的設計工程師,而不是以前一直認為的定購元器件的采購官員。認識到這一點后,國家半導體公司將其網站初期的針對對象定義為通過網站查詢元器件信息的設計工程師。

通常元器件需求的流程是:工程師們在設計新產品或改進原有產品時,需要查找他們需要的所有零件,所以他們查找制造商所提供的零件目錄和數據表,與制造商人交談,并索要樣品。一旦一個零件變成產品設計中的一部分,那么代表制造組織利益的購買部門就開始進行實際的購買了。

國家半導體公司從基本的市場調查研究起步,尋找客戶的價值取向,得知客戶與公司打交道的方式。公司每隔三個月就檢測一次客戶對其網站的反應,并與客戶對其他競爭者網站的反應進行比較,從而使國家半導體公司在與競爭者的競爭過程中占據了主導地位。

2、不斷提高網站利用效率

國家半導體公司在跟蹤客戶的網上行動方面做得非常出色。通過查看客戶路徑紀錄,網站的開發者設計出一種讓客戶用最少的步驟輕松進入系統,找出客戶想要的東西,獲得它們,然后退出的整個過程。

由于客戶都是工作繁忙的工程師,在上網查詢時都想盡快的減少查詢時間,提高效率。為滿足客戶的這種需求,國家半導體公司提出了產品文件夾的方式。公司為每一件產品都設立了單獨的文件夾,在產品文件夾中,客戶可以找到與此產品相關的所有信息,包括數據表、價格信息、軟件仿真、詳細的技術說明、可獲得性(即什么時候有此產品,以及產品的數量)和定購樣品的方法。 通過嚴密監控客戶的網上活動的方法,國家半導體公司的網絡小組在不斷地節約客戶的時間。在1995年春網站剛剛建立的時候,客戶在退出之前一般都要“碰上”七至八頁網頁。兩年以后,客戶在進入網站和退出網站之間,平均只需瀏覽2.5個網頁。他們進入主頁,查詢,進行交易(例如,定購樣品、下載數據表、或給產品管理員發電子郵件),然后退出。

3、精確的查詢方法

為滿足客戶的快速反應需求,國家半導體公司提供了四種不同的查詢方法。分別是:參數查詢、引擎文本查詢、圖表查詢和在線目錄查詢。客戶從而獲得了方便快速的查詢方式,節約了客戶的時間。

4、有效利用電子郵件

國家半導體公司對客戶的來信十分認真。每封來自客戶的電子郵件都送入公司數據庫,通過自動過濾和自動傳送方式,這些電子郵件被送到最合適的人如公司的產品管理者、市場管理者和技術人員進行處理,并進行跟蹤直到完成郵件的最終處理,而不是簡單地把所有郵件都送入公司的公眾技術支持部。 通過這種方式,國家半導體公司確保了從客戶的交互式活動中可以得到最大的價值。

5、分析實時客戶信息

美國半導體公司分析每日網上的客戶數據,編寫成產品目錄,并與真正的產品目錄和訂購數據結合起來,然后每天都向公司里所有的人播送客戶的定購數據。通過這種方法,公司可以知道什么產品流行,什么產品有問題,然后用來改善公司的產品管理系統和客戶數據庫。

6、以客戶為中心

國家半導體公司利用網上獲得的信息對公司的決策進行修正,客戶的反饋信息被整理成容易掌握的圖表,并把這些圖表散發給執行者和產品生產線管理者。通過這些措施,決策者能夠監控其產品的發展趨勢。通過觀察有多少客戶訪問信息、下載樣品以及進行定購,國家半導體公司擁有了一個“預警系統”,使得公司能夠快速改變營銷策略。

7、與銷售商聯手獲得客戶信息

在1997年9月,國家半導體公司網站新增了一項功能:讓渠道合伙人注冊客戶詳細信息的功能。這個名叫TEAM的渠道銷售隊伍自動化系統,包括了讓銷售商輸入客戶賬戶詳細信息的注冊形式、客戶感興趣的服務,以及客戶計劃的運行費用。作為給國家半導體公司提供這些信息的回報,國家半導體公司保證給這些銷售商回扣和剩余利潤鼓勵金。銷售商得到了好處,國家半導體公司也更準確地知道應該制造什么產品而獲利。

四、商業功能描述

1、方便的查詢功能

功能:設立多種查詢工具,國家半導體公司設計了四種不同的方法使工程師們能夠查找他們需要的信息。

(1)、參數查詢引擎。

在一個表格里填上工程師關心的參數。然后得出查詢結果。這種參數查詢在一兩秒鐘內就能在國家半導體公司大約22000種產品的數據庫中查出符合查詢標準的器件。

(2)、文本查詢。

讓客戶輸入關鍵詞或短語,例如“與數字變流器類似”,然后返回一系列符合要求的網站上的文檔——數據表,價格信息,或軟件仿真。

(3)、圖表查詢。

(4)、目錄查詢

客戶也可以選擇用國家半導體公司的在線目錄進行查詢,挑選自己感興趣的分類查看所有符合查詢標準的芯片。

評述:四種查詢工具擴大了客戶的選擇范圍,節省了客戶的時間,方便客戶快速查到自己想要的產品信息。

2、快速獲得信息和事務功能

功能:建立產品文件夾,公司為每一件產品都設立了文件夾。在產品文件夾中,客戶可以找到與此產品相關的所有信息,包括數據表、價格信息、軟件仿真、詳細的技術說明、可獲得性(即什么時候有此產品,以及產品的數量)和定購樣品的方法。

因為公司的客戶都是任務繁忙的工程師,他們到公司的網站上來,只是想找到他們想要的東西,然后就退出。而并不是休閑的購物。國家半導體公司用嚴密監控客戶網上活動的方法,不斷修正網站以節約客戶的時間。

評述:通過建立產品文件夾的方式,減少了客戶點擊無用頁面的次數,節約了客戶的時間。

3、實時定購和購買功能

功能:增添了“購買資源”網站功能,滿足購買人、買主等公司不同客戶的需求。 國家半導體公司針對購買人,買主和元件工程師的不同需要,在1998年5月專門建立了的、“購買資源”網站。這個網站包括了與DigiKey、Farnell、Newark和Pioneer(一些國家半導體公司的目錄支持者和發行人)公司網站有交互式連接的網站,為客戶提供了實時訂購和購買功能。

評述:解決了公司不同需求方的需要。

4、電子信件跟蹤系統

功能:

(1)、自動精確傳送電子郵件

國家半導體公司設計了能自動傳送客戶電子郵件的控制系統。當客戶發出電子郵件后,郵件被送到數據庫中,根據郵件的主題信息自動送給公司內合適的部門進行處理。郵件保證在48小時內給出答復。

(2)、自動跟蹤系統

客戶的一封電子郵件進入公司之后,所有的處理信息被自動跟蹤并記錄下來。如果收到郵件的人不能處理郵件內的事務或不能給客戶滿意的答復,這封郵件就會自動傳送到能對它進行有效答復的職員那里。

國家半導體公司用8000職員來接受和回答客戶提出的問題,而不是僅用少數人來處理這件事。這種自動化的工作流程確保了每個人只需回答自己能負責的那部分問題。而且由于所有的問題和回答都被跟蹤并存在數據庫中,這樣國家半導體公司就能保證客戶問題能被很好地答復。

評述:電子郵件自動傳送和跟蹤系統保證了客戶的電子郵件會被快速和準確的得到答復,提高了公司的效率,減少了客戶的抱怨。

5、信息反饋系統

功能:分析客戶上網信息,提供決策支持

國家半導體公司制作了一套軟件,分析每日網上每件產品的查詢次數,下載的數據表數量,以及要求的樣品數量,同時與公司的實際產品銷售建立關聯,給公司提供一個什么產品流行,什么產品不流行的“預警系統”。同時從客戶電子郵件中得到競爭者產品和促銷信息并迅速傳送到合適的產品管理者和行銷經理手中。

評述:通過分析客戶的網上信息,得到客戶對產品的評價和競爭對手信息,為公司配置資源和改進服務提供了有利的信息。

6、個性化服務

功能:建立大客戶個性化網站,并與實時定購系統連接。 國家半導體公司為公司的大客戶設立個性化網站,并把個性化網站與實時定購狀態系統連接。客戶可以利用這些網站來審查諸如公司合同價格和領先時間的公眾信息與所有權信息,也可得到最新的初步產品說明書這樣的有價值的信息,瀏覽與業務相關的白皮書和申請備忘錄,以及共享客戶工程產品發展狀況。

評述:通過建立個性化網站,滿足了大客戶的不同需要,客戶可以通過網站得到自己需要的信息,減少客戶的查詢時間,增加了客戶的滿意度。 五、技術風險與解決方案

在網站成立之初,國家半導體公司遇到了很多問題,這些問題主要來自技術方面,下面讓我們看看國家半導體公司是如何解決這些問題的。

1、建立統一的信息中心

在國家半導體公司網站成立之初,網站與所有非網絡的,基于主機的數據表相連,這在上網人數增多時就產生了問題。于是,國家半導體公司把所有信息都匯集到一臺運行上頁網絡瀏覽服務器軟件的Sun牌服務器上,用跟蹤服務器提供備份。并且能與提供因特網服務的網站快速連接。

2、用Java語言編寫參數查詢引擎

當國家半導體公司確定參數查詢引擎為網絡所必須的時候,公司與一個名叫Cadis的小公司合作,向其提供“改革資金”,開發基于Java的參數查詢引擎。1996年3月,這個引擎開發完成并投入擁有幾千個產品信息的數據庫中使用。這個查詢引擎是世界上第一個商業Java應用軟件。

3、把國家因特網和Lotus Notes相連接

國家半導體公司的銷售隊伍自動化系統是由叫做Ovor Quota的國際MFJ系統改編成的,是基于Lotus Notes的應用軟件。它包含了國家半導體公司所有的客戶數據庫,并跟蹤公司內各部門與客戶簽訂的所有合同。Notes(現在叫Domino)是國家半導體公司通過其他公司從網上發送電子郵件的自動化工作流程系統的基礎,公司所有推出的產品都用Notes的工作流程和數據庫來管理。從這些系統中,渠道銷售商和制造業推銷員能夠判斷一件沒有推出的新產品的前景和可獲得性,并且給出有價值的反饋信息。

4、以焦點報道方式為整個公司播送信息

國家半導體公司也把Lotus Notes當作一種媒介,通過這種媒介從網上收集與產品相關的信息,把這些材料和從制造業申請中得到的信息結合起來,然后產生通過焦點報道播放出去的圖表。公司里的所有職員在他們的個人電腦上都有焦點報道播放器,而且他們能調整顯示器來顯示他們感興趣的產品或產品目錄。

5、為網站發行和網站個人化籌備信息

在運行產品網站兩年半后,國家半導體公司發現對不同產品銷售商發行、設計、編輯和發送信息的籌備控制需要一種更好的方法。為了解決這個組織上和文件上的管理問題,Gibson選擇了Vignette的敘事服務器(Story-Sever)。這種文件管理平臺允許國家半導體公司的大賬戶傳送個人化網頁。國家半導體公司自己開發的網站建立者(Sitecreator)軟件工具允許銷售隊伍通過一個簡單的瀏覽器接口創建、編輯和維護網頁,并且在全世界范圍內都能做到這一點。這種具有友好用戶界面的工具使用戶不需要任何有關HTML腳本、文件結構和連接管理方面的知識。

六、意見與建議

到此為止,對國家半導體公司網站的運行方式進行挑剔似乎很難,但任何初始的事物都有需要改進的地方。下面是國家半導體公司在將來需要改進的地方。

1、增加更多的軟件仿真 雖然目前從國家半導體公司的網站也可以下載軟件仿真,但它們中很多只能在專利系統中運行,而且并不是所有的客戶都能進入這些系統。網站應該提供許多關于國家半導體公司產品的,基于Java的軟件模型和仿真,這樣工程師們就能輸入他們自己的參數并顯示結果。

2、營造社團

當國家半導體公司的客戶訪問其網站,找到所需要的東西,然后離開后,也同樣會去別的公司網站上做同樣的事情。客戶中很多人都面臨同樣的設計問題,然后拿出可能對其他設計者有用的解決辦法。國家半導體公司應該鼓勵客戶辯論和緩和技術分歧,以產生更多的網上對話,便于公司改進服務。

3、完善“設計——獲得——制造”循環過程

今天,國家半導體公司固定了其設計循環過程。但是在工程師選擇檢測一件產品的時間和訂購時間之間存在時間間隔,這樣就在客戶組織——從管理組織到制造組織到購買組織——和國家半導體公司的銷售渠道內就產生了缺陷。大多數國家半導體公司的設備通過銷售商銷售。雖然國家半導體公司在從它的銷售渠道中選取信息方面采取了令人矚目的有效措施,但現在國家半導體公司應該跟蹤最終客戶從選擇設備到獲得設備到進行制造的整個商業過程,了解客戶遇到的困難,解決公司存在的問題。

七、結束語——國家半導體公司獲得的巨大成功

國家半導體公司的網站獲得了極大的成功, 通過最近兩年半國家半導體公司對設計工程師做的的五項獨立的調查結果表明,在設計工程師上網查詢產品信息和產品技術的網站之中,國家半導體公司的網站排名第一。每月都有多達50萬的工程師上網訪問公司網站。有40℅的客戶將網站網址作為“書簽”,從而說明了網站的重要性。

國家半導體公司通過設立網站極大的方便了顧客,同時降低了公司的運營成本。如果通過公司的電話中心處理多達50萬人的問題,可想而知是做不到的,也耗費極大的成本。

第8篇:半導體器件分析范文

關鍵詞 微波電路;教學實踐;教學效果

中圖分類號:G642.4 文獻標識碼:B 文章編號:1671—489X(2012)30—0056—02

1 課程特點

微波電子線路課程是一門研究在微波頻段工作的電子器件及其電路組成的專業基礎課。微波電子線路一般泛指構成微波系統中各種功能模塊的元器件與電路結構,也稱為微波有源電路。隨著微波半導體材料技術和工藝水平的發展,先后出現半導體二極管、砷化鎵金屬半導體場效應管、PIN二極管和變容管等微波半導體器件,并在微波系統中獲得廣泛的應用。這種以半導體為核心組成的微波電子線路稱為微波固態電路。在微波半導體器件發展的同時,又研制出微波混合集成電路(MIC)和單片微波集成電路(MMIC),同時,低噪聲集成電路、大規模和超大規模微波集成電路發展迅速,中功率微波發射機實現固態化,但是大功率微波振蕩和放大必須依靠微波電真空器件,比如行波管、速調管、磁控管等。這些微波器件在雷達、通信、導航、衛星地面站等得到廣泛應用。

微波電子線路課程所學習的內容具有應用廣泛、技術難度高、內容更新較快的特點,這要求微波電子線路課程的教學要不斷地探索和研究,以適應微波頻段電子裝備教學和工作的需要。

該課程的學習可以采用微波技術的分析方法,從電磁場的角度去分析,但是比較復雜;也可以等效成電路去分析,這是習慣的分析方法,在分析過程中做一些等效和近似在工程上是允許的,是不影響本質的。學習過程中強調物理概念原理分析、重視實踐能力的培養以及最新技術發展在課程中的體現。教學方法體現啟發性,重視知識能力、素質的協調發展,注重實踐能力和創新能力的培養。

2 教學內容設計

根據人才培養方案的要求,該課程教學時間為30大綱學時。依據該課程的課程標準、課程設計,理論教學20學時,實踐學時10學時;授課方式上采用理論和實踐相結合的教學方式,理論教學上突出崗位任職所需的基礎理論,借助實際微波器件的應用介紹,分析微波電子器件和微波設備的發展前景。通過邊講解邊實踐的方式,加深學員的理解。

具體進度:為了方便學習和知識的交流,首先對微波傳輸線理論和其他微波無源元器件組成微波無源電路進行回顧復習;對微波無源器件及等效電路,簡要介紹一下微波電抗元件、連接元件、終接元件、衰減器和移相器、阻抗匹配器和變換器以及定向耦合器、微波濾波器諧振器、微波鐵氧體等的特點和運用。

對微波有源器件分4個模塊進行學習。

第一個模塊的內容是微波頻率變換器(混頻器),主要介紹頻譜搬移的原因、原理及工作過程。采用數學的方法對頻率變換的原理進行定量分析,并結合實際的頻率變換電路進行講解。進而介紹微波混頻器件即微波二極管工作原理,重點分析微波混頻器的特性和主要技術指標,介紹各種微波混頻器的工作原理,最后討論微波混頻器的鏡像回收。

第二個模塊內容是微波晶體管放大器,主要介紹微波晶體管低噪聲放大器。與低頻放大器相比,微波放大器是采用S參量作為分析和設計放大器的主要網絡參數,說明S參數(分布參數)與集總參數的區別、微波雙極型晶體管低噪聲放大器和微波場效應管低噪聲放大器設計方法、使用特點與應用場合,討論以雙極型晶體管放大器為主。

第三個模塊內容是微波控制器件與微波控制電路。微波控制器件是組成微波控制電路的重要部件,主要講述微波控制電路及其應用,包括微波開關、數字移相器、電調衰減器、微波調制器及限幅器等。微波控制元件有微波半導體器件和微波鐵氧體器件,重點內容是微波PIN二極管的原理及其組成。

最后一個模塊內容是微波電真空器件。盡管近年來微波半導體器件得到迅速發展,微波電真空器件仍然有存在的必要性。主要介紹三大電真空器件即磁控管、速調管、行波管的結構、工作原理和應用特點。

3 教學方法設計

教學改革的核心是教學方法的改革,教學方法要體現在整個課堂教學過程中。在教學方法上,基于任職教育學員底子薄、基礎差、學習水平參差不齊的現狀,力求避免單純的注入式,改用啟發式、討論式、答辯式的教學方法。將課堂講授、課內討論、課外自學、技能訓練等合理結合,把教學過程分為課題引入、設疑激學、講練結合、精選例題、總結鞏固等環節進行教學實踐。課題引入階段盡量由設計實例或工程實際問題引入課題,即在介紹一些重要章節前,列舉一個設計實例或工程實際問題,通過分析、設計,引入相關知識和理論,等學員的興趣被調動起來,并產生諸多疑問時再進行內容講解。而有實驗條件的內容要爭取進行現場教學,講練結合。即將課堂講授與技能訓練合理結合起來,有些教學內容可以安排在實驗、實訓中進行,邊講邊練,講練結合。邊講邊練主要用于介紹微波電路工作原理后,由學員對電路的功能及外部特性進行測試;講練結合則是由學員根據微波電路的功能對電路進行測試后,由教師和學員對測試結果進行討論,歸納總結,以加深對理論的理解。這樣,將教學過程放在實驗、實訓中,有利于學員實現由感性到理性的自然過渡,在邊學邊練中更深刻地領會所學知識,在頭腦中建立起理論與實際的聯系,使學員逐步提高學習能力和實踐技能,引導學員將基本理論、基本分析方法應用于解決實際問題。

4 考核方式設計

該課程的教學以提高學員的綜合能力素質為最終目標,考核方式采用對教學全過程綜合評估,具體考核環節包括4個環節:課堂表現、實驗成績、創新能力和課程結束考試。在4個方面進行加權,綜合評估后得出學習成績。

1)課堂表現:根據學員的課堂表現進行評價,包括學員功能的積極性、互動性、課堂回答問題的質量等。重點考查學員學習態度、課堂表現等情況。

2)實驗成績:實驗環節的定位在于使學員加深對理論的理解和增強實踐能力。通過觀察學員實驗的科學性、規范性,根據實驗科目的完成情況進行評價。

3)創新能力:由于微波電子線路是一門實踐性很強的課程,創新能力通過學員的小制作和參與科技創新活動等情況來評估。考核重點在于學員對理論知識的掌握以及相應的實踐能力。

4)課程結束考試:課程結束考試主要考查對微波器件、電子電路的理論知識的理解掌握情況和綜合應用能力。

5 教學效果分析

微波電子線路課程已經在雷達、通信等專業的多個教學班進行講授,從教學效果來看,學員對微波電子線路的有關理論有了深入的認識,順利地從集總參數的低頻電子線路跨入分布參數的微波器件和微波電子線路的分析運用,實驗技巧、動手能力得到鍛煉和加強。存在的問題主要是有的課易放難收,學員在討論中思維縱橫捭闔,天馬行空,致使教學任務完不成;課堂教學的內容豐富了,學員的基礎知識掌握得又不夠牢。但總的說來,收獲總是多于問題。該課程教學設計的實施培養了學員的創新精神和多元化思維,學員的成長與進步非常顯著。

參考文獻

[1]周道雷.任職教育理論與實踐研究[M].北京:軍事科學出版社,2009.

第9篇:半導體器件分析范文

關鍵詞:電力電子器件;應用現狀;發展趨勢

隨著科學技術的不斷進步,電力電子器件裝置當今得到了廣泛的應用,主要涉及到交通運輸業、先進裝備制造業、航天航空和坦克飛機等現代化裝備中。得益于電子技術的應用優勢,全球電子產品產業得到了快速的發展,給全球的經濟、文化、軍事等各領域帶來了實質性的影響。電子技術可以劃分為兩類:一種是電子信息技術,電力電子元件在電子信息技術上的應用可以實現信息的傳送、儲存和控制等目的;第二種就是保證電能正常安全的進行傳輸,同時將能源和信息有效的結合起來。在社會的不斷發展中,各行各業對于優質優量的電能都是迫切需要的,而隨著一次次電力電子技術的改革,電力電子器件的應用范圍也更加廣泛,成為了工業生產中不可或缺的重要元件。電力電子技術的發展為人類的環保和生活都做出了重要的貢獻,成為了將弱電與強電、信息與電子、傳統產業與現代產業完美結合的媒介。所以電力電子器件的研究成為了電力電子行業的重要課題。

1.電力電子器件的應用與發展歷程

上世紀50年代開始,全球第一支晶閘管誕生,這就標志著現代電氣傳動中的電力電子技術登上歷史的舞臺,基于晶閘管研發的可控硅整流裝置成為了電氣傳動行業的一次變革,開啟了以電力電子技術控制和變換電能的變流器時代,至此電力電子技術產生。到70年代時晶閘管已經研發出來可以承受高壓大電流的產品,這一代的半控型器材被稱之為第一代電力電子器件。但是晶閘管的缺點就是不能自關斷,隨著電力電子理論和工藝的不斷進步,隨后研發出了GTR.GTO和MOSFET等自關斷的全控型,這一類產品被稱之為第二代電力電子器件。之后出現了第三代電力電子器件,主要以絕緣柵雙極晶體管為代表,第三代電力電子器件具有頻率快、反映速度快和能耗較低的特點。在近些年的研究中,人們開始將微電子技術與電力電子技術進行融合,從而制造出了具有多功能、智能化、高效率的全控性能集成器件。電力電子器件中使用最多,構造簡單的就是整流管,當前整流管可以分為普通型、快恢復型和肖特基型三種。在改善電力電子性能、減少電路能源損耗和提升電流效率等方面,電力整流管發揮著重要的作用。美國通用電氣公司于1958年研發出了第一個用于工業的普通晶閘管,為今后的工藝調整和新器件的研發打下了基礎,隨后的十年中各式各樣的晶閘管面世,例如雙向、逆向逆導和非對稱等,到現如今這些晶閘管還一直在被使用。為了解決晶閘管的不可自關斷問題,美國于1964年研發了0.5kV/0.01kA的可關斷晶閘管,到今天發展成為9kV/2.5kA/0.8kHZ和6kV/6kA/1kHZ。可關斷晶閘管具有容量大和低頻率的特點,在大功率牽引驅動中發揮著極大的作用。隨后到70年代,GTR產品成功面世,其額定值已經達到了1.8kV/0.8kA/2kHZ和0.6kV/0.003kA/100kHZ,GTR產品具有極大的靈活性,有著開關能源消耗低和時間短的優點,在中等容量和頻率電路中發揮著主要作用。而第三代的絕緣柵型雙極性晶體管,對電壓能夠進行控制,有著輸入阻率抗性大和驅動功率小等特點,有著巨大的發展潛力。

2電力電子器件的應用

2.1晶閘管

從1960年開始到1980年,這二十年間使用最多的就是晶閘管,相比由電動發電機和水銀整流器組合而成的傳統晶閘管,有著功率大、高效率和體積小等優勢,在變流技術中占據著重要的地位。其中直流斬波器廣泛的應用于國內外的城市電車中。但是這類晶閘管存在著不可關斷和低工作頻率的缺點,為了解決這一問題,門極可關斷晶閘管被研制出來,在日本和歐洲等國家人們開始研制以高電壓和高功率的可關斷晶閘管為基礎的用于城市軌道交通電動車組的變頻器。

2.2絕緣柵雙級晶體管

隨著可關斷晶閘管的廣泛應用,人們發現可關斷晶閘管的關斷增益還是比較低,并且在進行關斷時所消耗的能源比較多,關于可關斷晶閘管的應用出現廣泛的爭議。隨著絕緣柵雙級晶體管的研發成功,人們發現相比可關斷晶閘管,絕緣柵雙級晶體管具有更多的優點,于是開始將絕緣柵雙級晶體管廣泛用于電動車的開發上。

2.3智能功率模塊

智能功率模塊是在絕緣柵雙級晶體管基礎上結合了故障檢測保護電路所研制成的電力電子模塊,在近年來在很多國家得到了推廣。相比以前的功率器件,智能功率模塊有著以下特點:首先具備電流傳感功能,能夠持續監測功率器件電流;具有溫度傳感功能;此外還具備高電壓和電流,能有效的降低通態和開關的能源損耗,無需另外設計驅動電路,應用起來了更加便捷。

3結語

在電力電子器件的初期發展階段,人們將之稱之為功率半導體器件,其功率遠遠大于傳統的控制用半導體器件和通信用半導體器件,隨著科技水平的發展,電力電子器件逐步的更新換代。除了傳統的雙向晶閘管、快速晶閘管、逆導晶閘管之外,大量新型電力電子器件出現,開始朝著縱深的發展趨勢發展,給電力電子器件產業的發展帶帶了新的生機。

作者:易躍镕 單位:湖南省長沙市廣益實驗中學

參考文獻:

[1]盛況,郭清.碳化硅電力電子器件在電網中的應用展望[J].南方電網技術.2016(03)

[2]趙爭鳴,袁立強,魯挺,賀凡波.我國大容量電力電子技術與應用發展綜述[J].電氣工程學報.2015(04)

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